窄禁带半导体中带间吸收的特征
材料科学
2013-05-29 v2
摘要
对于在具有不同宇称的能带间拥有窄禁带的半导体和半金属，我们明确计算了红外区域介电函数的色散。介电函数的虚部在带间电子跃迁的吸收阈值以上呈现平台状。介电函数的实部在阈值处具有对数奇点。这导致纯半导体在低频下对介电常数有巨大贡献。对于具有简并载流子的样品，介电函数的实部在吸收阈值处发散。这种发散会被温度或碰撞率所抹平。
引用
@article{arxiv.0802.2007,
title = {Features of interband absorption in narrow-gap semiconductors},
author = {L. A. Falkovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.2007},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 2 figures