边界结构对半导体光吸收的影响
材料科学
2008-02-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
提出了适用于晶体对称性差异较大的半导体接触的包络波函数唯象边界条件。结果表明，边界条件由与电子能量无关的实值数量决定。这些参数的数量取决于接触材料的对称性以及边界本身的对称性。所提出的边界条件被用于研究间接带隙半导体表面的光吸收。结果表明，动量不守恒的电子跃迁可能性可能导致吸收增强。对于尺寸约为50埃且表面原子比例足够大的小晶粒尤其如此。研究了微晶尺寸以及界面结构对吸收的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9705004,
title = {Influence of Boundary Structure on a Light Absorption in Semiconductors},
author = {Leonid S. Braginsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9705004},
year = {2008}
}
备注
16 pages, 2 PostScript figures, RevTeX