有限范围、嵌入式半导体纳米结构电子结构的边界条件
材料科学
2009-11-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
对嵌入在宿主材料中的有限范围半导体纳米结构进行建模，需要在有限模拟域中对边界进行数值处理。为了研究嵌入在砷化镓中的自组装砷化铟量子点，我们在经验紧束缚模型中考察了三种边界条件：(i) 周期性边界条件，(ii) 提高表面原子的轨道能量，以及 (iii) 提高表面悬挂键的能量。周期性边界条件需要平滑的边界，因此需要比两种非周期性边界条件更大的砷化镓缓冲层。在非周期性条件中，就消除带隙中间的费物理表面态而言，悬挂键能量移动比轨道能量移动更有效。大于5电子伏特的悬挂键能量移动能有效消除所有带隙中间的表面态，并导致内部态对能量移动的变化高度不敏感。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311461,
title = {Boundary conditions for the electronic structure of finite-extent, embedded semiconductor nanostructures},
author = {Seungwon Lee and Fabiano Oyafuso and Paul von Allmen and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311461},
year = {2009}
}
备注
20 pages, 9 figures