紧束缚近似下纤锌矿/闪锌矿晶相 GaAs 异质结构
材料科学
2023-08-16 v1
摘要
晶相半导体异质结构可实现电子限制,且避免了材料异质结构中因化学互混引起的不确定性,是下一代光电子器件的候选者,范围涵盖单光子发射器到高效 LED。尽管已有大量实验工作致力于开发这些结构的制备工艺,但由于缺乏能在同一结构中纳入闪锌矿和纤锌矿的原子模型,理论计算一直受限。在此,我们利用近期开发的与闪锌矿模型兼容的纤锌矿 III-V 半导体紧束缚模型,计算了含不同厚度闪锌矿和纤锌矿层的 GaAs 纳米线中的电子能量。通过比较平带极限和未屏蔽极限下的结果,我们解释了实验观测到的带隙对闪锌矿和纤锌矿势阱宽度的敏感性。我们的计算表明,典型工作条件下器件实验很可能接近平带极限。
引用
@article{arxiv.2306.12537,
title = {Wurtzite/Zincblende Crystal Phase GaAs Heterostructures in the Tight Binding Approximation},
author = {Joseph Sink and Craig Pryor},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.12537},
year = {2023}
}