利用 RHEED 图对自催化 GaAs 纳米线进行晶相调控
材料科学
2019-12-16 v1
摘要
众所周知，III-V 族纳米线（NWs）的晶体结构主要由催化剂液滴的润湿接触角控制，该角度可通过 III 族和 V 族束流调节。在这项工作中，我们提出了一种利用原位反射高能电子衍射（RHEED）图分析，控制分子束外延生长的自催化 GaAs 纳米线中纤锌矿（WZ）或闪锌矿（ZB）结构的方法。由于 ZB 和 WZ 结构的衍射图案根据方位角 [1-10] 而不同，可以在纳米线生长过程中跟踪特定 ZB 和 WZ 衍射斑点强度随生长参数（如 Ga 束流）的演化。通过分析在一些具有特定 Ga 束流变化的纳米线生长过程中 WZ 和 ZB 斑点强度的演化，进而可以控制纳米线的晶体结构。由此实现了具有受控 WZ 段的 ZB GaAs 纳米线。利用纳米线生长的半经验模型和我们原位的 RHEED 测量，推导出了结构转变所需的催化剂液滴临界润湿角。
引用
@article{arxiv.1912.06502,
title = {Crystal phase engineering of self-catalyzed GaAs nanowires using RHEED diagram},
author = {T. Dursap and M. Vettori and A. Danescu and C. Botella and P. Regreny and G. Patriarche and M. Gendry and J. Penuelas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.06502},
year = {2019}
}
备注
21 pages, 7 figures