分子束外延自催化 GaAs 纳米线纤锌矿相的控制
材料科学
2020-08-03 v1
摘要
在 III-V 族半导体纳米线(NWs)中精确控制晶相对器件应用而言是重要的里程碑。本工作中，我们提出一种在自催化纳米线中选择并维持纤锌矿(WZ)晶相的方法。通过选择纳米线生长过程为自调节系统的特定区间，选择闪锌矿(ZB)或 WZ 相的主要实验参数为 V/III 束流比。后者可通过改变 As 束流来监测，并使系统在 Ga 液滴润湿角落入目标区间（WZ 相生长时通常为 90{\deg} - 125{\deg}）时趋向稳态。对原位 RHEED 演化、高分辨率扫描透射电子显微镜(HRSTEM)、暗场透射电子显微镜(DF-TEM)和光致发光(PL)数据的分析均证实：通过 V/III 束流比为 4.0 的自催化 GaAs 纳米线 MBE 生长，可控制获得延伸数微米的纯 WZ 段。
引用
@article{arxiv.2007.16047,
title = {Wurtzite phase control for self-assisted GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy},
author = {T. Dursap and M. Vettori and C. Botella and P. Regreny and N. Blanchard and M. Gendry and N. Chauvin and M. Bugnet and A. Danescu and J. Penuelas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.16047},
year = {2020}
}
备注
26 Pages, 11 figures