多型纳米线的电子能带结构：一种基于群论和 $k\cdot p$ 方法的理论途径

由 III-V 族化合物制成的半导体纳米线展现出巨大的技术应用潜力。通过控制生长条件（如温度和直径），可以在闪锌矿和纤锌矿晶相之间交替，从而产生所谓的多型性。这种效应对系统的电子和光学性质有重大影响，为载流子产生了新的限制形式。一个能够准确描述这些多型纳米结构中电子和光学性质的理论模型，可用于研究和开发新型纳米器件。在本研究中，我们提出了一种纤锌矿/闪锌矿多型模型的发展，该模型基于群论概念和 $k\cdot p$ 方法来计算纳米线的电子能带结构。虽然兴趣在于多型超晶格，但所提出的模型被应用于单个 InP 量子阱，以提取纤锌矿/闪锌矿多型性的物理机制。通过对结果的分析，可以预测一些趋势：载流子的空间分离、发光光谱中垂直偏振（$xy$ 平面）的优势以及随应变发生的带间跃迁蓝移。我们提出了 WZ InP 自发极化值的可能范围。