纤锌矿相III-V族半导体的光学介电函数
介观与纳米尺度物理
2013-03-05 v1 材料科学
量子物理
摘要
由于晶体各向异性，半导体的光学性质可以表现出强烈的偏振依赖性。最近的一些实验表明，自由站立纳米线中的光致发光强度是偏振依赖的。造成这种效应的一个原因是介电函数的各向异性，这是因为大多数纳米线以纤锌矿形式结晶。虽然实验上对纤锌矿相III-V族半导体的能带结构知之甚少，但我们之前已经预测了九种纤锌矿相III-V族半导体的体能带结构。在这里，我们预测了九种非氮化物纤锌矿相III-V族半导体（AlP、AlAs、AlSb、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs和InSb）的频率依赖介电函数。它们的复介电函数是在偶极近似下，通过使用经验赝势波函数在密集的特殊k点网格上评估动量矩阵元来计算的。使用一个缩放因子对缺失芯态引起的动量矩阵元进行修正，该缩放因子是通过对闪锌矿多型体的计算介电函数应用光学求和规则来确定的。介电函数是针对垂直于和平行于晶体c轴的偏振方向计算的。
引用
@article{arxiv.1011.3081,
title = {Optical Dielectric Functions of III-V Semiconductors in Wurtzite Phase},
author = {Amrit De and Craig E. Pryor},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.3081},
year = {2013}
}