CuInSe2、CuGaSe2、CuInS2、CuGaS2 的光学函数与电子结构
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们报告了四种卡普林石硅化物（chalcopyrite semiconductors）在光学能量范围内（1.4-5.2 eV，CuInSe2 为 0.9 eV）的复复合介电张量分量，这些在室温下通过光谱椭圆测定法得到。我们的结果是通过在单晶CuInSe2、CuGaSe2、CuInS2和CuGaS2上获得的。折射指数 n、消光系数 k 和正入射反射率 R 的数值给出，并与已有数据进行比较。我们详细分析了在所研究能量区域观察到的介电函数结构。通过拟合数值计算的二阶导数谱，获得电子跃迁的临界点参数。讨论实验能量和极化方向，并基于已发表的带结构计算进行分析。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0112048,
title = {Optical functions and electronic structure of CuInSe2, CuGaSe2, CuInS2, and CuGaS2},
author = {M. I. Alonso and K. Wakita and J. Pascual and M. Garriga and N. Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112048},
year = {2009}
}