ZnIn$_2$Te$_4$ 的电子与光学性质
材料科学
2009-09-29 v1
摘要
通过 TB-LMTO 第一性原理技术研究了缺陷-奇珀比特类型半导体 ZnInTe 的带结构和光学性质。光学吸收计算表明，ZnInTe 是一种直接带隙半导体，其带隙为 1.40 eV，确认了实验测得的值。计算得到的复复合介电函数 在 Brillouin zone 的临界点能量处显示出明显的结构。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0212121,
title = {Electronic and Optical Properties of ZnIn$_2$Te$_4$},
author = {Biplab Ganguli and Kamal Krishna Saha and Tanusri Saha-Dasgupta and Abhijit Mookerjee and A. K. Bhattacharya},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0212121},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 6 figs