MgSiN$_2$ 有限温度下的带隙重整化与间接光学吸收
材料科学
2021-12-15 v2
摘要
我们利用第一性原理计算研究了温度对宽禁带三元氮化物 MgSiN 电子能带结构与光学吸收性质的影响。我们发现电子-声子耦合导致 MgSiN 的间接带隙显著减小，这对于理解该材料的光电性质不可或缺。考虑带隙重整化后，由准粒子 GW0 计算确定的 MgSiN 带隙与近期实验结果吻合良好。所预测的声子辅助间接光学吸收谱显示，随着温度升高，吸收边发生红移。我们的工作为理解 MgSiN 带隙的本质提供了有益见解，并促进了其在紫外光电器件中的应用。
引用
@article{arxiv.2108.07545,
title = {Band gap renormalization and indirect optical absorption in MgSiN$_2$ at finite temperature},
author = {Dangqi Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.07545},
year = {2021}
}