基于第一性原理的 BAs 有限温度光电子性质
材料科学
2019-06-18 v3
摘要
砷化硼(BAs)的高热导率使其成为以热管理为核心的光电子应用中的理想材料。在本工作中,我们通过同时考虑电子-声子耦合和热膨胀来研究 BAs 的有限温度光电子性质。结果表明,为捕捉该材料光电子性质的温度依赖性,纳入电子-声子耦合是必不可少的,而由于 BAs 的高度共价成键特征,热膨胀的贡献可忽略不计。我们预测,随着温度升高,光学吸收边发生红移,吸收峰变得更为平滑,且在低于光学带隙能量处的声子辅助吸收系数处于 至 cm 范围。我们还表明,只有当计算中同时包含精确交换、电子-声子耦合和自旋轨道耦合效应时,才能与所测得的 BAs 间接带隙取得良好一致。
引用
@article{arxiv.1904.11511,
title = {Finite temperature optoelectronic properties of BAs from first principles},
author = {Ivona Bravić and Bartomeu Monserrat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.11511},
year = {2019}
}
备注
9 pages, 5 figures