高导热 BAs 与 BP 材料的热膨胀系数
材料科学
2019-07-24 v1
摘要
近期报道的立方砷化硼（BAs）与磷化硼（BP）晶体中极高的热导率，有望为高功率密度器件的散热管理提供革命性方案。为充分推动此类应用，需考虑热扩散片与器件衬底间兼容的热膨胀系数（CTE），以最小化热应力。在此，我们报道通过 X 射线单晶衍射与中子粉末衍射相结合，在 100K 至 1150K 温度范围内对 BAs 与 BP 的实验 CTE 研究。我们表明室温 CTE，BAs 为 3.6 0.15 10E-6 /K，BP 为 3.2 0.2 10E-6 /K，与包括 Si 与 GaAs 在内的大多数半导体更为兼容，相较金刚石，因而可作为未来功率电子器件中热扩散片材料的更优候选。
引用
@article{arxiv.1906.04101,
title = {Thermal expansion coefficients of high thermal conducting BAs and BP materials},
author = {Sheng Li and Keith M. Taddei and Xiqu Wang and Hanlin Wu and Jörg Neuefeind and Davis Zackaria and Xiaoyuan Liu and Clarina Dela Cruz and Bing Lv},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.04101},
year = {2019}
}
备注
13 pages, 3 figures, accepted by applied physics letters