立方硼-V 化合物 BP、BAs 和 BSb 中同时具备的高电子与空穴迁移率
材料科学
2018-09-26 v1
摘要
通过第一性原理计算，研究了立方硼-V 化合物（BP、BAs 和 BSb）中受声子限制的输运性质。我们发现这些化合物中的高光学声子频率导致极化散射的显著抑制以及由大波矢光学声子介导的谷间跃迁的减少，这两者都显著促进了电荷输运。我们还发现 BAs 在室温下同时具有高空穴迁移率（2110 cm2/V-s）和电子迁移率（1400 cm2/V-s），这在半导体中十分罕见。我们的发现为寻找高迁移率极性半导体提供了新见解，并指出 BAs 除其预测的高热导率外，还是一种用于电子和光伏器件的有前途的材料。
引用
@article{arxiv.1807.02732,
title = {Simultaneously high electron and hole mobilities in cubic boron-V compounds: BP, BAs and BSb},
author = {Te-Huan Liu and Bai Song and Laureen Meroueh and Zhiwei Ding and Qichen Song and Jiawei Zhou and Mingda Li and Gang Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.02732},
year = {2018}
}
备注
18 pages, 4 figures