黑磷超高迁移率二维空穴气中的量子霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2016-12-06 v2 量子气体
摘要
我们证明，由真空中封装于六方氮化硼(h-BN)中的少层黑磷(BP)制成的场效应晶体管(FET)展现出5200 的室温空穴迁移率，其仅受声子散射限制。在低温下，FET迁移率增至45,000 ，比早期报道的迁移率高八倍。前所未有的洁净h-BN/BP/h-BN异质结构在常规实验室磁场下展现出Shubnikov-de Haas振荡和朗道能级(LL)填充因子低至v=2的量子霍尔效应。此外，测量到与载流子密度无关的有效质量m=0.26 m_0，并报道了Lande g因子g=2.47。进一步，发现了具有向上和向下自旋取向的明显空穴输运行为的迹象。
引用
@article{arxiv.1510.06518,
title = {Quantum Hall Effect in Ultrahigh Mobility Two-dimensional Hole Gas of Black Phosphorus},
author = {Gen Long and Denis Maryenko and Junying Shen and Shuigang Xu and Jianqiang Hou and Zefei Wu and Wing Ki Wong and Tianyi Han and Jiangxiazi Lin and Yuan Cai and Rolf Lortz and Ning Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.06518},
year = {2016}
}
备注
30 pages, 12 figures