黑磷场效应晶体管电子掺杂区中的双载流子输运
介观与纳米尺度物理
2018-11-08 v3
摘要
在薄膜黑磷(BP)场效应晶体管(FET)器件的高电子掺杂区中观察到了双载流子输运现象。典型厚度为15 nm的BP薄膜由六方氮化硼(h-BN)薄膜封装以避免空气暴露降解。其霍尔迁移率在4.2 K下于空穴和电子掺杂区分别达到5300 cm2/Vs和5400 cm2/Vs。电导率的栅压依赖关系在电子掺杂区表现出异常的肩状结构。此外，在高于该肩结构的栅压下，磁电阻变为正值，并出现额外的慢速舒布尼科夫-德哈斯振荡。这些结果强烈表明出现了源于具有局域带边的第二子能带的第二种载流子。
引用
@article{arxiv.1807.02660,
title = {Double carrier transport in electron doped region in black phosphorus FET},
author = {Kohei Hirose and Toshihito Osada and Kazuhito Uchida and Toshihiro Taen and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Yuichi Akahama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.02660},
year = {2018}
}
备注
16 pages, 4 figures