利用量子电容测量探测二维黑磷
介观与纳米尺度物理
2015-11-23 v1
摘要
二维材料及其异质结构已成为一类不仅用于基础物理,而且用于电子和光电子应用的新型材料。黑磷(BP)是这类材料中相对较新的成员。其强烈的面内各向异性使BP成为制造概念上新型电子器件的独特材料。然而,器件几何结构中BP的全局态密度(DOS)尚未通过实验测量。在此,我们报道了在双栅场效应晶体管(FET)几何结构中对hBN保护的少层BP ( 6层)进行的量子电容测量以及电导测量。我们的量子电容测量得到的DOS与密度泛函理论(DFT)进行了比较。我们的结果表明,由于带边附近局域态的存在,量子电容的输运能隙小于电导测量中的输运能隙。变程跳跃在我们的温度依赖电导中被观察到,证实了局域态的存在。在电子和空穴侧之间观察到大的不对称性。这种不对称性质归因于BP的各向异性能带色散。我们的测量确立了量子电容在探测带边附近局域态方面的独特性,这是此前在电导测量中未观察到的。
引用
@article{arxiv.1510.09053,
title = {Probing 2D Black Phosphorus by Quantum Capacitance Measurements},
author = {Manabendra Kuiri and Chandan Kumar and Biswanath Chakraborty and Satyendra N Gupta and Mit H. Naik and Manish Jain and A. K. Sood and Anindya Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.09053},
year = {2015}
}
备注
Accepted for Publication in Nanotechnology, 2015