基于封装少层黑磷的型控纳米器件用于量子输运
介观与纳米尺度物理
2016-07-12 v1
摘要
我们证明，用六方氮化硼（h-BN）薄片封装原子级厚度的黑磷（BP），对于最小化在制备用于量子输运纳米器件的 BP 沟道材料过程中引入的界面杂质非常有效。通过对 BP 封装结构进行选择性刻蚀后沉积适当的金属电极，实现了具有超高迁移率和可控类型的、高度稳定的 BP 纳米器件。由于功函数不同，铬和钛是适用于 BP 沟道的金属电极，可控制从 p 型单极特性到双极特性的转变。在低温下，电子和空穴分别获得了创纪录的 6000 cm²V⁻¹s⁻¹ 和 8400 cm²V⁻¹s⁻¹ 的高迁移率。高迁移率的 BP 器件使得在实验室磁场中研究具有不可分辨塞曼效应的量子振荡成为可能。
引用
@article{arxiv.1606.07552,
title = {Type-controlled Nanodevices Based on Encapsulated Few-layer Black Phosphorus for Quantum Transport},
author = {Gen Long and Shuigang Xu and Junying Shen and Jianqiang Hou and Zefei Wu and Tianyi Han and Jiangxiazi Lin and Wing Ki Wong and Yuan Cai and Rolf Lortz and Ning Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.07552},
year = {2016}
}
备注
14 pages, 3 figures