氮化硼封装 TiS$_3$ 纳米片中的多端电子输运
材料科学
2020-04-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了由六方氮化硼（h-BN）封装的三硫化钛（TiS）薄片构成的多端器件中，电输运随载流子密度、温度与偏压的变化关系。通过 h-BN 封装，我们观察到金属性行为与高电子迁移率。在 60 K 以下，电阻增大，且微分电阻中出现具有平台状特征的非线性输运，这与预期的电荷密度波（CDW）形成一致。重要的是，CDW 相的临界温度与阈值场可通过背栅调控。
引用
@article{arxiv.2004.03687,
title = {Multi-terminal electronic transport in boron nitride encapsulated TiS$_3$ nanosheets},
author = {Nikos Papadopoulos and Eduardo Flores and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Jose R. Ares and Carlos Sanchez and Isabel J. Ferrer and Andres Castellanos-Gomez and Gary A. Steele and Herre S. J. van der Zant},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.03687},
year = {2020}
}