六方氮化硼支撑的单晶 InSb 纳米片中的量子振荡

利用外延生长于六方氮化硼（hBN）介电/石墨栅结构上的自支撑 InSb 纳米片制备了栅极霍尔棒器件，并通过低温下的栅极转移特性和磁输运测量研究了该 InSb 纳米片中的电子输运性质。测量表明，InSb 纳米片中的载流子为电子，且纳米片中的载流子密度可由石墨栅极高效调控。由低场磁输运测量提取出 InSb 纳米片中电子的迁移率，发现其值超过约 18000 cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$。高场磁输运测量显示出 InSb 纳米片纵向电阻中清晰的 Shubnikov-de Haas（SdH）振荡。我们进行了 SdH 振荡的温度依赖测量，并提取出关键输运参数，包括电子有效质量 m$^*$$\sim$0.028 m$_0$ 和量子寿命 $\tau$$\sim$0.046 ps。这是首次报道针对自支撑 InSb 纳米片的此类实验测量，所得结果表明 InSb 纳米片/hBN/石墨栅结构可用于开发先进的量子器件，以研究新奇物理并实现量子技术应用。