异质外延 InSb/GaAs 层的电学各向异性
材料科学
2013-07-10 v1
摘要
我们报道了对 InSb/GaAs(001) 异质外延层在 [110] 和 [1-10] 晶体学方向上的电学和结构性质的研究。发现在低磁场下测量的电子输运参数具有强烈的各向异性，而通过 Shubnikov-de Haas 振荡研究的 InSb 体层电输运则显示与晶体学方向无关。InSb 薄膜的低场电学各向异性似乎由两种竞争性各向异性效应主导：InSb 层内非均匀分布的自发形成的 In 纳米团簇的影响，以及具有高各向异性扩展缺陷密度的近界面层的导电性。
引用
@article{arxiv.1307.2368,
title = {Electrical anisotropy of heteroepitaxial InSb/GaAs layers},
author = {T. A. Komissarova and A. N. Semenov and D. A. Kirilenko and B. Ya. Meltser and V. A. Solovyev and A. A. Sitnikova and P. Paturi and S. V. Ivanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.2368},
year = {2013}
}
备注
10 pages, 4 figures