立方砷化硼中的单粒子与激子能带结构
材料科学
2023-05-30 v1
摘要
立方BAs因其高电子和空穴迁移率以及高热导率而近期受到关注。这是半导体工业中一种罕见且备受青睐的组合：商用半导体通常具有高电子迁移率，或高空穴迁移率，或高热导率，但不能三者兼具。本文报道了基于先进自洽多体微扰理论的预测，并表明在单粒子性质方面，BAs与Si极为相似。也存在一些重要差异，最显著的是价带质量的变化异常小。在双粒子性质方面，与Si出现了显著差异。我们报道了q=0和有限q下的激子谱，并表明虽然立方BAs的直接带隙约为4 eV，但暗激子可低至约1.5 eV被观测到，这可能在BAs的光电子学应用中起关键作用。
引用
@article{arxiv.2305.17215,
title = {One-particle and excitonic band structure in cubic Boron Arsenide},
author = {Swagata Acharya and Dimitar Pashov and Mikhail I Katsnelson and Mark van Schilfgaarde},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.17215},
year = {2023}
}
备注
4 pages, 2 figures