Delafossites的电子能带结构与激子性质：一项 $\textit{GW}$-BSE 研究
材料科学
2017-08-29 v1
摘要
我们报道了利用最先进的 -BSE 方法计算的 delafossites (M = Al, Ga, In, Sc, Y, Cr) 的能带结构和激子性质。我们发现所有 delafossites 均为具有大激子结合能的间接带隙半导体，激子结合能介于 0.24 至 0.44 eV 之间。最低且最强的激子主要由 Cu 3 Cu 3 (Al, Ga, In) 或 Cu 3 M 3 (M = Sc, Y, Cr) 跃迁贡献，始终位于菱面体布里渊区的 点。考虑电子-空穴效应后，我们的理论带隙与实验表现出良好的一致性。
引用
@article{arxiv.1706.03877,
title = {Electronic Band Structures and Excitonic Properties of Delafossites: A $\textit{GW}$-BSE study},
author = {Xiaoming Wang and Weiwei Meng and Yanfa Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.03877},
year = {2017}
}