用于深紫外应用的四元MgSiN_2-GaN合金半导体
材料科学
2022-12-27 v2
摘要
超宽直接带隙半导体在深紫外光电子应用中前景广阔。本文评估了MgSiN-GaN合金用于此目的的潜力。尽管MgSiN本身的间接带隙比其约6.5 eV的直接带隙低约0.4 eV，但其在两个不同基面方向上与GaN符号相反的晶格失配，可避免限制高 下AlGaN/GaN的张应变。我们研究了MgSiN与GaN各占50%的合金的两种满足八隅体规则的结构（空间群 与 ），利用准粒子自洽（QS） 计算发现两者的带隙均大于4.75 eV。两者均为近直接带隙，即间接带隙仅比直接带隙低不到0.1 eV。它们的混合能为正但很小，（）的值分别为8（31）meV/atom，表明相分离驱动力很小。
引用
@article{arxiv.2208.00908,
title = {Quaternary MgSiN_2-GaN alloy semiconductors for deep UV applications},
author = {Ozan Dernek and Walter R. L. Lambrecht},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.00908},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 4 figures