原子级薄单氮化物 SiN 和 GeN：新型二维半导体材料
材料科学
2018-07-06 v1
摘要
低维硅基半导体是一类独特的材料，既能与硅基电子器件良好匹配，又能满足现代工业的微型化需求。由于此类材料的匮乏，许多研究人员致力于该领域的研究。在本工作中，采用群体结构搜索方法和密度泛函理论，我们在理论上预测了二维原子级薄单氮化物 SiN 和 GeN，两者均表现出半导体性质。进一步的研究表明，SiN 和 GeN 表现为间接带隙半导体，带隙分别为 1.75 和 1.20 eV。从头算分子动力学计算表明，即使在 2000 K 的极高温度下，这两种单氮化物也能稳定存在。值得注意的是，SiN 和 GeN 的电子迁移率分别被评估为 0.888x 和 0.413x 。本工作扩展了低维硅基半导体材料家族。
引用
@article{arxiv.1703.10763,
title = {Atomically thin mononitrides SiN and GeN: new two-dimensional semiconducting materials},
author = {Yan Qian and Zhengwei Du and Renzhu Zhu and Haiping Wu and Erjun Kan and Kaiming Deng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.10763},
year = {2018}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:1703.03893