二维 Zn2VN3 的预测与表征
材料科学
2023-01-30 v1
摘要
通过计算设计了一种新型三元氮化物 Zn2VN3 的二维(2D)单层，并证明了其动力学与热稳定性。基于三元氮化物薄膜制备的实验工作、形成能与剥离能的计算以及第一性原理分子动力学模拟，提出了一种合成策略。对 2D Zn2VN3 进行了全面表征，包括对其光电与力学性质的研究。结果表明，2D Zn2VN3 是一种间接带隙为 2.75 eV、功函数高达 5.27 eV 的半导体。其光吸收覆盖可见光与紫外区域。发现 2D Zn2VN3 的带隙可通过外加应变良好调控。同时，2D Zn2VN3 对机械载荷、点缺陷及环境影响具有高稳定性。考虑到所发现的 2D Zn2VN3 的独特性质，其可用于光电与应变电子纳米器件。
引用
@article{arxiv.2301.11897,
title = {Prediction and Characterization of Two-Dimensional Zn2VN3},
author = {Andrey A. Kistanov and Stepan A. Shcherbinin and Elena A. Korznikova and Oleg V. Prezhdo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.11897},
year = {2023}
}