预测一种用于纳米光电子应用的二维氮化硫 (S3N2) 固体
材料科学
2018-02-14 v1
摘要
二维材料因其迷人的电子、光学、化学和力学性质而受到极大关注。然而，已报道的大多数二维材料的带隙小于 2.0 eV，这极大地限制了它们在光谱蓝光和紫外波段的光电子应用。在此，我们提出一种新型稳定的氮化硫 (S3N2) 二维晶体，它是由纯粹的 S-N σ 键组成的共价网络。计算得到的声子谱和 NPT 系综下的从头算分子动力学模拟证实，S3N2 晶体是动力学稳定的。杂化密度泛函计算表明，二维 S3N2 晶体是一种宽带隙 (3.17 eV) 直接带隙半导体，具有良好的空穴迁移率。这些迷人的电子性质可能为其在蓝光或紫外发光二极管 (LED) 和光电探测器等光电子应用铺平道路。
引用
@article{arxiv.1606.01597,
title = {Prediction of a Two-dimensional Sulfur Nitride (S3N2) Solid for Nanoscale Optoelectronic Applications},
author = {Hang Xiao and Xiaoyang Shi and Feng Hao and Xiangbiao Liao and Yayun Zhang and Xi Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.01597},
year = {2018}
}