二维 XI$_2$（X=Sn, Si）优异的光电与热电性质：一项第一性原理研究
材料科学
2020-04-30 v1
摘要
二维（2D）金属卤化物因其电子与光电性质受到更多关注。近来，研究者因金属卤化物单层具有超低晶格热导率、高塞贝克系数和优值而感兴趣于探究其热电性质。在此，我们借助密度泛函理论和玻尔兹曼输运方程研究了 XI（X=Sn 和 Si）单层的热电与光电性质。结构参数已通过原子位置弛豫得到优化。SnI 和 SiI 单层均获得了优异的热电与光学性质。对于 SnI，观测到 2.06 eV 的间接带隙，吸收峰位于 4.68 eV。对此，计算出 p 型掺杂在 600 K 下的最高 ZT 值为 0.84。类似地，对于 SiI，观测到相对较低的 1.63 eV 间接带隙，吸收峰位于 4.86 eV。计算所得 SiI 的 ZT 乘积在 600 K 时为 0.87。两种晶体均具有高吸收率和 ZT 值，表明它们可作为光电与热电器件的有前途候选材料。
引用
@article{arxiv.2004.13955,
title = {Impressive optoelectronic and thermoelectric properties of two-dimensional XI$_2$ (X=Sn, Si): a first principle study},
author = {Atanu Betal and Jayanta Bera and Satyajit Sahu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.13955},
year = {2020}
}