具高费米速度的原子级薄层金属性硅与锗同素异形体
材料科学
2023-03-29 v1
摘要
硅和锗是制造集成电路电子器件的知名材料，但因其半导体性质，它们本身并不被视为互连器件的有望选项。我们发现，Si 和 Ge 原子均可形成出乎意料的金属性单层结构，它们分别比被广泛研究的半金属性硅烯和锗烯更为稳定。更重要的是，新发现的 Si 和 Ge 二维同素异形体具有优于石墨烯中狄拉克费米子的费米速度，这表明硅基集成电路所需的金属导线可由 Si 原子自身制成而无可兼容性，从而实现全硅基集成电路。
引用
@article{arxiv.2207.06669,
title = {Atomically-thin metallic Si and Ge allotropes with high Fermi velocities},
author = {Chin-En Hsu and Yung-Ting Lee and Chieh-Chun Wang and Chang-Yu Lin and Yukiko Yamada-Takamura and Taisuke Ozaki and Chi-Cheng Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.06669},
year = {2023}
}
备注
10 pages, 3 figures, 1 table