CeNiSn 是否为盔金半导体：断裂接触数据
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
记录了 CeNiSn 接触的 IV 特性及其导数，在 0.1-8 K 温度下以及最高达 8 T 的磁场中使用机械可调断裂接触 (MCBJ)。发现 CeNiSn 表现出典型金属性质，而非预期的半导体行为。主要特征是约 10 meV 宽度的显著零偏置电导最小值，出现于金属和隧穿两种 regimes，似乎具有磁性。实验未提供关于该化合物是否存在能隙（伪）gap 的明确证据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0101087,
title = {Is CeNiSn the Kondo semiconductor?: break-junction data},
author = {Yu. G. Naidyuk and K. Gloos and T. Takabatake},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0101087},
year = {2007}
}
备注
4 pages with 2 figures, LaTex2e, Proceedings of NATO-ARW Size Dependent Magnetic Scattering, May 28-June 1, 2000, Pecs, Hungary, to be published