近藤关联单分子器件的输运表征

单分子断裂结器件可作为探测多体近藤态的可调模型系统。该态的低能性质通常用近藤模型来描述，其中系统对不同微扰的响应由单一涌现能标 $k_B T_K$ 表征。不同实验系统之间的比较显示出数值一致性问题。通过一种新的约束分析，同时考察电导对温度、偏压和磁场的依赖性，我们表明，通过适当考虑常被忽略的背景非近藤电导贡献，可以解决这些偏差。我们通过检查总电导超过仅由近藤辅助隧穿导致的理论最大值的器件中的输运现象，清晰地展示了这些非近藤导电通道的重要性。