简并点处单电子晶体管的电流特性
强关联电子
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
研究了弱单模隧道结情况下单电子晶体管在简并点处的线性和非线性输运性质。考虑了两种对立的场景，其区别在于电子是否能在两个隧道结之间相干传播。这两种场景分别对应不同多通道近藤效应的实现——允许相干传播时对应双通道近藤效应，无相干传播时对应四通道近藤效应。在非平衡多通道近藤哈密顿量的广义非交叉近似框架下，对每种场景的线性和非线性电导进行了详细分析。结果表明，随着温度降低会出现零偏压异常，其特征为多通道近藤效应的反常幂律行为。提出了微分电导关于V/T（V为施加的偏压，T为温度）的标度函数，作为这两种场景各自独特的实验特征。在电极间无相干传播且与两个电极耦合不对称的情况下，从四通道到双通道行为的交叉表现为零温电导消失，以及小不对称性下微分电导的非单调电压依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302605,
title = {Current Characteristics of the Single-Electron Transistor at the Degeneracy Point},
author = {Amnon Buxboim and Avraham Schiller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302605},
year = {2007}
}
备注
19 pages, 14 figures