单电子晶体管是否适用多通道 Kondo 模型？
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
我们使用重整化群方法研究了单电子盒子和晶体管在其退化点附近的低温动力学。我们表明，间隙散射是相关扰动，总是会将系统驱动到两通道 Kondo 不动点。其中，两个通道对应于导电电子的实际自旋。然而，交叉温度 T^*（Matveev 两通道 Kondo 场景 [K.A. Matveev, Phys. Rev. B 51, 1743 (1995)] 下发展而来）随导电模式数指数减小，在大多数情况下都极小。当温度高于 T^* 时，参考文献 {onlinecite{Schoen}} 中的“无限通道模型”会表现得相当好。我们讨论了实验限制性问题，并提出了观察多通道 Kondo 行为的新型实验装置。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0003013,
title = {Is the Multichannel Kondo Model Appropriate to Describe the Single Electron Transistor?},
author = {Gergely Zarand and Gergely T. Zimanyi and Frank Wilhelm},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0003013},
year = {2007}
}
备注
8 PRB pages, with 5 eps figures, REVTeX