一维体系中的金属-近藤绝缘体转变与输运

我们研究了一维近藤晶格中可能发生的两种不同金属-绝缘体转变。首先，我们证明在强耦合极限下对纯近藤晶格模型进行掺杂会导致Pokrovsky-Talapov转变。这产生了一种导电态，其电荷磁化率随掺杂量以倒数形式发散，似乎与数值数据一致。其次，在弱耦合区域，由于反向近藤散射的重整化，近藤绝缘体转变随之产生。在此，近藤效应与电子-电子相互作用的相互作用的相互作用下，在高温去局域化（弹道）区域导致了输运中的显著现象。对于排斥相互作用，作为近藤局域化的完美特征，电导率被发现随温度单调下降。当相互作用变为吸引时，电子（Luttinger型）液体中的自旋涨落突然降低。后者比排斥情况更不容易被磁杂质局域化，因此导致德鲁德权重的大幅跳跃和近藤绝缘相入口处电导率的最大值。这些可视为足够吸引的相互作用所产生的s波超导性的残余。我们还与单杂质模型的输运进行了比较。最后，我们讨论了随机分布磁缺陷的情况，以及介观环中持续电流的应用。