SIS混频器中的自加热：实验证据与理论建模
仪器与探测器
2025-09-08 v1 超导电性
摘要
本工作研究了自加热与超导体-绝缘体-超导体（SIS）结的电流-电压特性（IVC）中观察到特征之间的关系。采用有限元分析评估SIS结周围的稳态温度分布，明确考虑了组成材料热导率的温度依赖性。这种方法能够在各种实际条件下灵活估计自加热，例如不同的基板材料、界面热阻和几何布局。从模拟中提取加热系数，并将其用作IVC建模的输入参数。通过将自加热纳入温度依赖的能隙和准粒子展宽，模拟的IVC再现了能隙附近的弯曲特征，与测量特性相吻合。此外，当SIS结附近存在弱连接时，其临界电流可能会因结加热而显著降低，在测量的IVC线性支路产生意外的弯曲。反之，这种弯曲可能表明结温度正接近超导转变温度。
引用
@article{arxiv.2509.04521,
title = {Self-heating in SIS Mixers: Experimental Evidence and Theoretical Modeling},
author = {Wenlei Shan and Shohei Ezaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.04521},
year = {2025}
}
备注
EUCAS2025