原子级薄半金属 WTe2 的高电流密度与低热导率
材料科学
2016-08-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
超越石墨烯的二维（2D）半金属在原子级薄极限下相对未被探索。本文我们介绍了一种简便的半金属 WTe2 晶体生长机制，随后制备了少层测试结构，同时小心避免因暴露于空气而导致的退化。对 80 nm 至 2 um 长器件进行的低场电学测量使我们能够分离本征电阻和接触电阻，揭示了迄今研究的最薄封装稳定 WTe2 器件（3 至 20 层厚）中的金属性响应。高场电学测量和电热建模表明，尽管热导率非常低（约为 ~3 W/m/K），超薄 WTe2 仍能承载极高的电流密度（接近 50 MA/cm2，高于大多数常见互连金属）。这些结果为这种层状半金属的空气稳定技术可行性指出了若干途径。
引用
@article{arxiv.1608.00988,
title = {High Current Density and Low Thermal Conductivity of Atomically Thin Semimetallic WTe2},
author = {Michal J. Mleczko and Runjie and Xu and Kye Okabe and Hsueh-Hui Kuo and Ian R. Fisher and H. -S. Philip Wong and Yoshio Nishi and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.00988},
year = {2016}
}