高迁移率与高光学质量的原子级薄层 WS2
材料科学
2017-07-25 v1
摘要
原子级薄层材料的兴起有望通过在半导体行业引入多功能材料，使现代技术发生范式转变。迄今为止，高质量原子级薄层半导体（如 WS2）的生长是释放这些材料潜力的最紧迫挑战之一，且具有高晶体质量的单层或双层生长尚未完全实现。在此，我们展示了在单层和双层 WS2 的可控合成中 novel 使用分子前驱体，相较于广泛使用的基于 WO3 前驱体的拓扑转变方法，能产生更优越的材料质量。高达 52 cm2/Vs 的创纪录室温电荷载流子迁移率，以及在亚毫米面积上仅为 36 meV 的超锐利光致发光线宽，表明该材料的质量甚至超过了天然存在的材料。通过利用吸附在基底上的 W 和 S 物种的表面扩散动力学，我们还实现了确定性的层厚控制，促进了可扩展合成路线的设计。
引用
@article{arxiv.1707.07523,
title = {High-Mobility and High-Optical Quality Atomically Thin WS2},
author = {Francesco Reale and Pawel Palczynski and Iddo Amit and Gareth F. Jones and Jake D. Mehew and Agnes Bacon and Na Ni and Peter C. Sherrell and Stefano Agnoli and Monica F. Craciun and Saverio Russo and Cecilia Mattevi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.07523},
year = {2017}
}