二维Stanene的外延生长
材料科学
2015-10-01 v1
摘要
超薄半导体呈现出各种新颖的电子特性。首个实验实现的二维(2D)材料是石墨烯(graphene)。寻找含重元素的2D材料将注意力转向Si、Ge和Sn。基于弯曲Si的硅烯(silicene)通过分子束外延(MBE)生长实现1,2。基于Ge的锗烯(germanene)通过机械剥离实现3。基于Sn的stanene具有其独特性质。stanene及其衍生物可以是具有超大带隙的二维拓扑绝缘体(TI)，如第一性原理计算所提出4，或可支持增强的热电性能5、拓扑超导6以及近室温量子反常霍尔(QAH)效应7。本工作中，我们首次报道通过MBE成功制备2D stanene。其原子与电子结构通过扫描隧道显微镜(STM)和角分辨光电子能谱(ARPES)结合第一性原理计算确定。本工作将促进stanene的实验研究及未来应用的探索。
引用
@article{arxiv.1506.01601,
title = {Epitaxial Growth of Two-Dimensional Stanene},
author = {Fengfeng Zhu and Wei-jiong Chen and Yong Xu and Chun-lei Gao and Dan-dan Guan and Canhua Liu and Dong Qian and Shou-Cheng Zhang and Jin-feng Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.01601},
year = {2015}
}
备注
20 pages, 4 figures