石墨烯对二维氮化镓的稳定作用
材料科学
2016-05-13 v3
摘要
石墨烯之外的二维（2D）材料为研究凝聚态物理中的新现象提供了一个卓越的平台。在这些材料中，具有宽带隙能量（~5.0-6.0 eV）的层状六方氮化硼已清楚地表明，二维氮化物是推进新型器件的关键。然而，在 hBN 之外的二维氮化物的理论预测与这类结构的实验实现之间仍存在差距。在此，我们展示了一种利用外延石墨烯的新型迁移增强封装生长（MEEG）技术合成二维氮化镓的方法。我们在理论上预测并在实验上验证，通过 MEEG 生长的二维 GaN 的原子结构与已报道的理论显著不同。此外，我们证实石墨烯在稳定直接带隙（近 5.0 eV）的二维弯曲结构中起着关键作用。我们的结果为发现和稳定难以通过传统合成方法制备的新型二维氮化物奠定了基础。
引用
@article{arxiv.1511.01871,
title = {Graphene stabilization of two-dimensional gallium nitride},
author = {Zakaria Y. Al Balushi and Ke Wang and Ram Krishna Ghosh and Rafael A. Vilá and Sarah M. Eichfeld and Paul A. DeSario and Dennis F. Paul and Joshua D. Caldwell and Suman Datta and Joan M. Redwing and Joshua A. Robinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.01871},
year = {2016}
}