二维类石墨氮化镓及石墨烯/SiC 界面限域中的结构选择性
材料科学
2022-06-22 v1
摘要
预测性第一性原理计算表明类石墨 GaN 在理论上是可能的。迄今为止，尚未见实验报道。我们报道了通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在石墨烯/SiC 界面限域中获得的一种 buckled 几何构型的 GaN 单层。采用导电原子力显微镜 (C-AFM) 探测穿过石墨烯/SiC 界面的垂直电流注入，并确定插层区域的均匀性。采用扫描透射电子显微镜 (S/TEM) 进行原子分辨率成像与谱学分析。暴露出类石墨 GaN 单层预期堆垛序列中的不连续性，并将其解释为 Ga-N 与 Ga-O 键同时形成的情况。Ga-O 键的形成在原子尺度限域中引发化学物种特异性结构选择性方面具有重要意义。
引用
@article{arxiv.2206.10247,
title = {2D graphitic-like gallium nitride and structural selectivity in confinement at graphene/SiC interface},
author = {Gianfranco Sfuncia and Giuseppe Nicotra and Filippo Giannazzo and Béla Pécz and Gueorgui Kostov Gueorguiev and Anelia Kakanakova-Georgieva},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.10247},
year = {2022}
}
备注
25 pages, 5 figures