新型二氮化物体系的结构与电子性质：基于密度泛函理论的 CN₂、SiN₂ 与 GeN₂ 研究
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
通过密度泛函理论研究了假设为石英型结构的二氮化物 CN₂、SiN₂ 和 GeN₂，采用了超软赝势和增广球面波(ASW)方法。前两种材料构成更广泛 CNx 和 SiNx 化合物类的大 x 极限，这些化合物因其有趣的机械和电子性质而为人所熟知。对于 CN₂，确定了巨大的体模量 B_0 为 405 GPa。虽然 SiN₂ 为宽带隙材料，但 CN₂ 和 GeN₂ 的计算带隙显著较小。结构和电子性质（如键长、带隙和共价性）的趋势可通过不同类型键合的相互作用来良好理解。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0304502,
title = {Structure and electronic properties of new model dinitride systems: A density-functional study of CN2, SiN2, and GeN2},
author = {R. Weihrich and V. Eyert and S. F. Matar},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0304502},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 5 figures