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第 14 族氮化物化合物的全电子 GW 准粒子能带结构

材料科学 2014-08-01 v1

摘要

我们利用密度泛函理论(结合局域密度近似)和 GW 近似,研究了尖晶石相(γ\gamma-M3_3N4_4,其中 M= C, Si, Ge 和 Sn)和β\beta相(β\beta-M3_3N4_4,其中 M= Si, Ge 和 Sn)中的第 14 族氮化物(M3_3N4_4)。首先在全势线性化缀加平面波框架内计算了这些系统的 Kohn-Sham 能量,然后使用单次激发 G0_0W0_0计算进行修正,该计算已在修改版的 Elk 全势 LAPW 代码中实现。我们发现尖晶石型氮化物γ\gamma-M3_3N4_4(M= Si, Ge 和 Sn)在Γ\Gamma点具有直接带隙。相应的 GW 修正带隙与实验结果一致。我们还发现,即使系统包含半芯dd电子,采用和不采用等离激元极点近似的 GW 计算给出的结果也非常相似。由于具有可调谐的直接带隙,这些尖晶石型氮化物是潜在光电子应用的新型材料。

关键词

引用

@article{arxiv.1404.4656,
  title  = {All-Electron GW Quasiparticle Band Structures of Group 14 Nitride Compounds},
  author = {Iek-Heng Chu and Anton Kozhenikov and Thomas C. Schulthess and Hai-Ping Cheng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1404.4656},
  year   = {2014}
}

备注

8 pages, 5 figures