通过分子模拟研究III-A族氮化物片的电子性质
材料科学
2009-07-31 v1
摘要
我们进行了第一性原理总能计算，以研究新型N12X12H12 (X=B, Al, Ga, In, Tl)氮化物在其类晕苯(C24H12)结构中的结构和反应性参数，以模拟这些片层。交换和相关势能在广义梯度近似(GGA)以及Perdew-Wang和Perdew-Burke-Ernzerhof参数化(PWC, PBE)的局域密度近似内，结合双极化原子基组(DNP)进行处理。报告了化学势、硬度和亲电指数以及键长。这些结构的键长与体材料相似。HOMO和LUMO之间的能隙从BN (5.18 eV)减小到TlN (1.76 eV)。同时，除了TlN之外，极性增加。
引用
@article{arxiv.0907.5251,
title = {Electronic Properties of Group III-a Nitride Sheets by Molecular Simulation},
author = {E. Chigo Anota and M. Salazar Villanueva and H. Hernandez Cocoletzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.5251},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 1 figure. Work presented at the Conferenci Internacional La Ciencia de Mteriales en la Era del Nano, Habana Cuba 2009. submitted to Phys. Rev. B