新型重构机制：III族氮化物与“传统”III-V族半导体的比较
计算物理
2007-05-23 v1
摘要
我们采用第一性原理总能量计算研究了主导极性GaN表面重构的驱动力。我们的结果揭示了其他半导体中未观察到的性质，例如稳定富Ga面的强烈趋势。该机制被证明对各种表面性质有重要影响：新颖且迄今意外的结构稳定存在，表面虽为宽禁带半导体GaN却可能变为金属性，且表面能显著高于其他半导体。我们用GaN的小晶格常数与氮分子独特的键强解释了这些特征。
引用
@article{arxiv.physics/9810003,
title = {Novel Reconstruction mechanisms: A comparison between group-III-nitrides and "traditional" III-V-semiconductors},
author = {T. K. Zywietz and J. Neugebauer and M. Scheffler and J. E. Northrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/9810003},
year = {2007}
}
备注
13 pages, 5 figures