GaN 纳米线 ensembles 的分解耐受与去合并工程
材料科学
2018-12-07 v1
摘要
GaN 及相关 III-氮化物纳米线（NWs）在（光）电子应用中的兴趣迅速增长，亟需立即解决与纳米线生长和器件加工相关的技术挑战。为此，我们在此展示一种抑制 GaN 纳米线热分解的方法，其同时可补救生长过程中的纳米线合并效应。尽管这两种效应众所周知是 GaN 纳米线器件开发中的主要障碍，但迄今尚未有可靠方法应对。我们表明，通过提供仅在外延生长于 GaN 纳米线顶面的薄 AlN 盖层，热分解可被几乎完全抑制。AlN 盖层后的 GaN 纳米线 ensemble 热退火，导致无盖层/部分盖层纳米线的选择性分解，留下（大多）AlN 盖层的 GaN 纳米线，具有更优晶体与发光特性。这一简单却极有效的方法可成为 GaN 纳米线基（光）电子技术路线图中非常关键的里程碑。
引用
@article{arxiv.1812.02443,
title = {Engineering decomposition-resilience and de-coalescence of GaN nanowire ensembles},
author = {Swagata Bhunia and Ritam Sarkar and Dhiman Nag and Kankat Ghosh and Krista R Khiangte and Suddhasatta Mahapatra and Apurba Laha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.02443},
year = {2018}
}