GaN(0 0 0 1)表面重构的起源
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1 材料科学
摘要
利用原位反射高能电子衍射（RHEED）和扫描隧道显微镜（STM），研究了通过分子束外延（MBE）制备的含与不含痕量砷的Ga极性GaN(0 0 0 1)表面的重构。通过在衬底暴露于固定NH3通量时或作为衬底温度函数沉积已知量Ga后分析RHEED图样，观察到了多种重构。原位STM图像显示，这些重构中只有少数在实空间中产生长程周期性。还利用两个独立的MBE腔和X射线光电子能谱研究了砷在Ga诱导重构中有争议的作用。
引用
@article{arxiv.1501.00143,
title = {Origins of GaN(0 0 0 1) surface reconstructions},
author = {S. Vezian and F. Semond and J. Massies and D. W. Bullock and Z. Ding and P. M. Thibado},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.00143},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 7 figures