InP(001) 表面重构的反射高能电子衍射与扫描隧道显微镜研究
介观与纳米尺度物理
2015-03-16 v1 材料科学
摘要
利用原位反射高能电子衍射 (RHEED) 和扫描隧道显微镜 (STM) 研究了通过分子束外延制备的 InP(001) 表面重构。生长室包含高精度的温度测量系统，并使用固态源、裂解磷、阀控 effusion 源。通过在三个主要方向分析图案，利用 RHEED 观察到了五种 InP(001) 重构。在固定的 P2 通量下，降低衬底温度会产生以下重构：c(2x8)、(2x4)、(2x1)、(2x2) 和 c(4x4)。原位 STM 图像显示，这些重构中只有两种在实空间中产生长程周期性。InP(001) 不形成富金属的 (4x2) 重构，这令人惊讶，因为 (4x2) 重构被称为通用表面重构，此前认为所有 III-V(001) 表面都倾向于形成该重构。
引用
@article{arxiv.1503.04163,
title = {Reflection high-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy study of InP(001) surface reconstructions},
author = {V. P. LaBella and Z. Ding and D. W. Bullock and C. Emery and P. M. Thibado},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04163},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 4 figures