Si(001)表面在600°C附近观察到的(2 x 1)与c(8 x 8)重构之间的相变
材料科学
2010-11-23 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在超高真空分子束外延腔室中，通过反射高能电子衍射（RHEED）和高分辨率扫描隧道显微镜（STM）对经过不同处理的Si(001)表面进行了原位研究，以进行SiO薄膜分解。观察到(2 x 1)和(4 x 4) RHEED图案之间的转变。(4 x 4)图案在样品后处理冷却过程中于T <~600°C时出现。观察到该重构是可逆的。在室温下，通过STM在相同样品上揭示了c(8 x 8)结构。已证实(4 x 4)图案是c(8 x 8)表面结构在RHEED中的表现。发现相变的出现取决于热处理条件和样品冷却速率。
引用
@article{arxiv.1007.0329,
title = {Phase transition between (2 x 1) and c(8 x 8) reconstructions observed on the Si(001) surface around 600C},
author = {L. V. Arapkina and V. A. Yuryev and V. M. Shevlyuga and K. V. Chizh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.0329},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 5 figures. To appear in JETP Letters (Pis'ma v ZhETF, 10 September 2010)