高温退火过程中扫描隧道显微镜观察富镓 GaAs(001)表面
原子与分子团簇
2007-05-23 v2 化学物理
摘要
通过扫描隧道显微镜(STM)成功观察了高温退火过程中的富镓 GaAs (001) 表面。在衬底温度为 550°C 时,反射高能电子衍射图和反射各向异性谱确认了 (4x2) Ga 稳定表面。STM 图像清晰地显示了扫描过程中表面重构的变化。推测镓吸附原子的脱离和附着可能是这些表面动力学的原因。在这些条件下,确定了 zeta(4x4)、zeta2(4x4) 和 zeta(4x6) 重构共存于表面。zeta2(4x4) 重构包含一个 Ga 四聚体簇,在更富镓的条件下,zeta2(4x6) 表面具有 Ga 八聚体簇。
引用
@article{arxiv.physics/0201060,
title = {Ga-rich GaAs(001) surfaces observed during high-temperature annealing by scanning tunneling microscopy},
author = {Shiro Tsukamoto and Markus Pristovsek and Bradford G. Orr and Akihiro Ohtake and Gavin R. Bell and Nobuyuki Koguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0201060},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 3 figures