光电子发射研究铯在(2x4)-GaAs(001)表面诱导的电荷转移
材料科学
2015-05-14 v1
摘要
通过光电子发射和低能电子衍射研究了铯在2x4 GaAs(001)表面的吸附。As 3d和Ga 3d芯能级谱中由Cs诱导的不同变化表明，对于Ga表面位点，电荷转移几乎是完全的，但在覆盖度小于0.3 ML时，对表面As的电荷转移可忽略不计。当覆盖度大于0.3 ML时，情况相反，此时电荷转移发生在As上，而不再转移到Ga上。向As原子的电荷转移导致无序化和失稳，并在450°C的低温退火后，诱导表面从富As表面转变为富Ga的4x2表面。
引用
@article{arxiv.0909.0345,
title = {Cs-induced charge transfer on (2x4)-GaAs(001) studied by photoemission},
author = {O. E. Tereshchenko and D. Paget and P. Chiaradia and F. Wiame and A. Taleb-Ibrahimie},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.0345},
year = {2015}
}